استطاعت الشركة دمج 19 رقاقة في جهة واحدة من الرام, باستخدام تكنلوجيا اسمتها اختصارا ب TSV وتعني Through Silicon Via

تصل سرعة الرام DDR4 الى 2,133 ميغابايت في الثانية ^_ ^ خلاف 1,333 في DDR3, كما انها تستهلك طاقة اقل حيث تعمل علىV1.2 عوض V1.35 في DDR3

انتهاجها سيكون في النصف الثاني من العام القادم 2015

للمزيد من المعلومات من المصدر باللغة (الله اعلم)

http://media.daum.net/economic/others/newsview?newsid=20140407091608996

باللغة الانجليزية

http://blog.gsmarena.com/sk-hynix-develops-128gb-ddr4-ram-module/