استطاعت الشركة دمج 19 رقاقة في جهة واحدة من الرام, باستخدام تكنلوجيا اسمتها اختصارا ب TSV وتعني Through Silicon Via
تصل سرعة الرام DDR4 الى 2,133 ميغابايت في الثانية ^_ ^ خلاف 1,333 في DDR3, كما انها تستهلك طاقة اقل حيث تعمل علىV1.2 عوض V1.35 في DDR3
انتهاجها سيكون في النصف الثاني من العام القادم 2015
للمزيد من المعلومات من المصدر باللغة (الله اعلم)
باللغة الانجليزية
